600V/1200V HighSpeed 3 H3 IGBTs

600 V および1200 V HighSpeed3 H3 IGBTファミリーは、ハードおよびソフト スイッチング トポロジー用に最適化されています。
このファミリーは、スイッチング損失のベンチマークを設定し、20 kHz 以上でスイッチングするトポロジーでの使用を推奨しています。非常に短いテール電流と低いターンオフ損失 (最も近い競合製品から25 % 低減) が主な特徴で、このファミリーを設計に実装することにより、最大15 % の効率を達成することができます。また、スイッチング損失だけでなく、導通損失も非常に低くなっています。これは、低Vce (sat)として世界的に有名なインフィニオンのTRENCHSTOP™ テクノロジーによるものです。一方、デュオパックの還流ダイオードは、高レベルのソフトスイッチングを維持しながら、高速回復のために最適化されています。これにより、高速スイッチング性能、耐久性、EMI 挙動を補完する優れた特性を実現しています。HighSpeed 3 H3 IGBTと組み合わせることで、市場で最も優れたデバイスを手に入れることができます。

インフィニオンのHighSpeed3 H3 IGBTは、スイッチング損失とスイッチング効率の点でベンチマークとなる性能を提供する高周波アプリケーション向けに最適化されています。