600V/1200V TRENCHSTOP™ Series IGBTs

概要

600 V/1200 V TRENCHSTOP™, TRENCHSTOP™ 2 and TRENCHSTOP™ Performance IGBTs

インフィニオンのTRENCHSTOP™ IGBTテクノロジーは、トレンチトップセルとフィールドストップの概念を組み合わせたもので、デバイスの静的および動的性能の大幅な向上につながります。IGBTとソフトリカバリーのエミッタ制御ダイオードの組み合わせにより、ターンオン損失を最小化します。スイッチングと導通損失を両立する最適解により、最高の効率を実現しています。

製品
ハイライト

600V/1200V TRENCHSTOP™

主な特長 メリット 主なアプリケーション
  • 最小のV ce(sat)ドロップで導通損失低減
  • 低いスイッチング損失
  • 正温度係数のV CEsatにより並列スイッチングが容易
  • 非常にソフトで高速な逆並列エミッタ制御ダイオード
  • 高い堅牢性、温度安定性
  • 低いEMI放射
  • 低いゲート電荷
  • パラメータのばらつきが非常に少ない
  • 高効率 – 低い導通損失とスイッチング損失
  • 600Vおよび1200Vでの広範囲にわたる品揃えによる設計の柔軟性
  • デバイス信頼性向上

 

新しい600V TRENCHSTOP™パフォーマンスIGBT

600V TRENCHSTOP™パフォーマンス シリーズは、高効率で価格競争力のあるIGBT新製品です。導通とスイッチオフエネルギーの最適なトレードオフを実現し、ずばぬけた堅牢性と優れたEMI性能を提供します。モータ制御、空調コンプレッサー、HVAC（冷暖房換気空調）モータドライブ、UPS（無停電電源）、太陽光発電コンバータ、その他30kHz以下のハードスイッチングトポロジで動作するあらゆる電力変換アプリケーションにおいて、高い効率を実現します。 

新しい600V TRENCHSTOP™パフォーマンス製品一覧

特長 利点

600V TRENCHSTOP™パフォーマンスは、5 µsecの短絡耐性を持つ、新しい中速スイッチングIGBTです。

  • 高性能：低いスイッチング損失、低いダイオードリカバリ損失
  • 低速dV/dtスイッチング（<5V/ns）、容易な設計
  • 5us短絡定格
  • 低いEMI
  • コスト競争力
 新しいTRENCHSTOP™パフォーマンスは、従来のTRENCHSTOP™製品と1対1に置き換え可能で、次のような利点があります。
  • 全スイッチング損失（Ets）低減、すなわち、より高効率のIGBT 
    • 8kHzのスイッチング速度でEtsを7%低減
    • 15kHzのスイッチング速度でEtsを11%低減
  • 低速dV/dtスイッチング（<5 V/ns）
  • 低いEMI
  • セル設計改善 により信頼性向上

 

推奨ドキュメント

Infineon EiceDRIVER™ gate driver ICs Selection guide 2019 - Every switch needs a driver
Power and Sensing Selection Guide 2019
トレーニング
サポート