TRENCHSTOP™ 5 F5 - Infineon Technologies

概要

高効率なバリエーション – 最適化された性能

インフィニオンの650 V TRENCHSTOP™5 F5ディスクリートIGBTファミリーは、現在主流のソリューションに比べスイッチング損失がきわめて低い、IGBT・MOSFET間のブリッジです。

対象トポロジーは、無停電電源(UPS)、　インバータ溶接、ハードスィッチングアプリケーション(SMPS)に使用されるブースト段、PFC(AC-DC), 高電圧DC/DCトポロジーです。

製品

ハイライト

650V TRENCHSTOP™ 5 F5は、低インダクタンス設計を対象とした製品で、SiCダイオードとの組み合わにより、650V TRENCHSTOP™5 H5ファミリーに比べ効率が1％向上します。F5製品は、高度な設計が必要ですが、高い成果が得られます。

特長	利点	アプリケーション
650Vブレークスルー電圧インフィニオンの業界最高クラスの高速3ファミリーとの比較：ファクター2.5の低ゲート電荷ファクター2のスイッチング損失低減 V_CE(sat)を200mV低減インフィニオンの新しいRapid Siダイオード技術も搭載低いC_OES/E_OSS 緩やかな正の温度係数V_CE(sat) V_fの温度安定性	クラス最高の効率実現により、接合部温度とケース温度を低下させ、デバイスの信頼性を向上信頼性を維持したままバス電圧を50V上昇高い電力密度設計	PFC + PWM　トポロジー溶接無停電電源(UPS) ソーラーエネルギーシステム

特長

利点

アプリケーション

650Vブレークスルー電圧
インフィニオンの業界最高クラスの高速3ファミリーとの比較：
ファクター2.5の低ゲート電荷
ファクター2のスイッチング損失低減
V_CE(sat)を200mV低減
インフィニオンの新しいRapid Siダイオード技術も搭載
低いC_OES/E_OSS
緩やかな正の温度係数V_CE(sat)
V_fの温度安定性