1200 V TRENCHSTOP™ IGBT6

概要

1.85Vの低い導通損失(Vcesat)と低いスイッチング損失のユニークな組み合わせ

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6は、15kHz以上のスイッチング周波数で動作するハードスイッチングおよび共振トポロジにおいて、高効率、低導通損失、および低スイッチング損失の要件を満たすよう設計されています。1200V TRENCHSTOP™ IGBT 6は、低導通損失に最適化されたS6シリーズと、スイッチング損失を改善したH6シリーズの2つの製品ファミリ－でリリースされます。

IGBT6 S6は、HighSpeed 3 H3シリーズの低スイッチング損失を兼ね備え、1.85Vのコレクタ-エミッタ飽和電圧（VCE(sat)）という低導通損失1.85Vが特長です。

非常にソフトで高速なリカバリーを行うアンチパラレルエミッタ制御ダイオードは、優れたEMI動作が行われる高レベルのソフトさを維持しながら、高速リカバリーを行うよう最適化されています。正の温度係数により、簡単で信頼性の高い並列接続が可能です。きわめて優れたゲート抵抗(RG)制御性により、アプリケーションの要件に応じてIGBTのスイッチング速度を調整することができます。

ご興味があると思われる製品ハイライト

製品
ハイライト

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 6は、先行品の1200 V HighSpeed3 H3 IGBTシリーズからプラグ＆プレイで簡単に置き換えられるように開発されており、基板設計変更をする必要がなく、さらに効率が向上しています。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6の製品ラインアップは、最大電流75Aダイオードを独自のパッケージTO-247PLUS 3pinピンに一緒に封止したものと、低スイッチング損失のケルビンエミッタソースピンを備えたTO-247PLUS 4pinパッケージに一緒に封止したものを提供しています。

Diagramm IGBT6 Trade off
Diagram for IGBT6 16kHz fast

計測条件: VG=15/-5 V、RG=5Ω、Vbus=750V、 Iout=1.5～19.5A（5分ごとに1.5Aステップで増加）、 cos(φ)=1、fsw=16kHz

特長 メリット
  • S6シリーズでは、1.85V (VCEsat)とで低導通損失

  • スイッチング周波数15～40kHz向けにスイッチング損失と導通損失の最適な組み合わせを実現

  • 高いRG制御性
  • 低いEM
  • フル定格で堅牢なフリーホイーリングダイオード
  • 簡単なプラグアンドプレイで、先行品のHighSpeed3 H3 IGBTから置き換え可能
  • HighSpeed3 H3 IGBTから、TO-247-31のS6に変更することで、システム効率が15%向上
  • HighSpeed3 H3 IGBTから、4ピンTO-247PLUSのS6に変更することで、システム効率が0.20%向上

 

1 3相T型コンバータのアプリケーションテストで定義

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6ラインアップ

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6ラインアップ

1200V IGBT用TO-247PLUS 3ピン

Product Picture of TO-247PLUS 3pin for 1200 V IGBT

 

TO-247PLUSパッケージはチップのアクティブ領域が広いため、TO-247のフットプリントに最大75AのIGBTと75Aのダイオードを搭載できます。TO-247PLUSの高い電力密度は、並列接続の削減、システム電力密度やシステム出力を向上させるのに使用できます。

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1200V IGBT用TO-247PLUS 4ピン

Product Picture of TO-247PLUS 4pin for 1200 V IGBT

 

ケルビンエミッタ端子として知られている4番目のピンは、ゲート制御ループ上のエミッタリードインダクタンスをバイパスし、IGBTのスイッチング速度を向上させ、スイッチングエネルギーを減少させます。

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