FS3L200R10W3S7F_B11 950 V 200 A 3レベル IGBTモジュール

概要

1200V CoolSiC™ ダイオード、TRENCHSTOP™ IGBT7, NTC を搭載し、PressFIT コンタクトテクノロジーを採用したEasyPACK™ 3B  950V、200AのデュアルブーストIGBTモジュールです。F3L400R10W3S7F_B11 およびF3L400R10W3S7_B11と組み合わせることで、1500Vの三相太陽光(PV)ストリングインバータ用のトータルソリューションを実現します。

特長

  • S7: きわめて低いスイッチング損失とソフトターンオフ動作1200 V CoolSiC™ diodes reduces switching loss of IGBT
  • 1200V CoolSiC™ダイオードによりIGBTのスイッチング損失が低減
  • デュアルブーストトポロジー、1つのモジュールに3つのMPPT回路を搭載
  • CTI>400
  • 画期的なメカニカルコンセプトによりRthjhを低減
  • Tvj op = 150°C
  • ベースプレートレス設計

利点

  • スイッチング周波数16kHzで定格電流26AのMPPT入力が可能
  • 2本のストリングを並列接続したヒューズレスMPPT入力用設計
  • 定格電力400W以上の両面PVモジュールに対応
  • 十分な沿面距離を備え、必要な絶縁要件により試験を実施
  • PressFITピンを使用しているため、はんだレス、高速アセンブリプロセスによる信頼性の高い接続を実現
図
トレーニング

Power semiconductor solutions for 1500 V solar string inverters

solar energy system

Let’s learn more about how solar inverters work, from the ones we have in our houses, to the ones that are applied in major factories.  We will also see how Infineon innovates in power semiconductors for solar inverter technology and how that can help with reducing costs and time to market.

Watch now

サポート