IAUCN10S7L180 100 V, N-Ch, 18 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7
概要
IAUCN10S7L180 is an automotive MOSFET built with Infineon’s leading edge, power semiconductor technology; OptiMOS™ 7 100 V. This product is offered in our versatile, robust, high current SSO8 5x6 mm2 SMD package. It is designed specifically for high performance, high quality and the robustness needed for demanding automotive applications.
特長
- Fast switching times (turn on/off)
- Low on-resistance, RDS(on)
- Leading edge FOM (RDS(on) x Qg)
- High avalanche current capability
- High SOA ruggedness
- Tight threshold voltage, VGS(th), range
- Excellent thermal performance
- Low package resistance and inductance
- Unique fused source pins
- Extended qualification beyond AEC-Q101
- Enhanced electrical testing
- MSL1 up to 260°C peak reflow
利点
- Superior switching performance
- Very low conduction losses
- Highest power density in 5x6 mm2 package
- High power efficiency
- Well suited for parallel placement
- Increased design ruggedness
- Better solder joint reliability
- Designed for Automotive robustness
- High quality production for Automotive
推奨アプリケーション例
トレーニング
- 今日の急成長する車載用MOSFET市場を知る。
- インフィニオンの48 Vマイルドハイブリッド電気自動車 (MHEV) アプリケーション向けの幅広いMOSFETセレクションの詳細をご覧ください。
- インフィニオンが真の品質文化をいかに定義しているのかご覧ください
- インフィニオンのゼロディフェクトへの取り組みと、車載用MOSFETの認定に関して、インフィニオンがいかに要件以上の品質を提供できるよう取り組んでいるのかご紹介します
- インフィニオンの車載用MOSFETのデータシートの読み方をご説明します
- データシートに記載されているパラメータや図表の詳しい見方がわかると、デバイスの限界や能力をより正確に評価できるようになります
サポート
