600 V CoolMOS™ 8

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETのゲート電荷 (Q_g) は、10 VにおいてCFD7より18 %低く、P7より33 %低くなります。この製品ファミリーは、400 VにおいてCFD7およびP7より50 %低い出力容量COSSを示します。さらに、ターンオフ損失 (E_oss) はCFD7およびP7と比較して12 %低減され、逆回復電荷 (Q_rr) はCFD7と比較して3 %低下しています。さらにこれらのデバイスは、市場で最も短い逆回復時間 (t_rr) を示し、熱性能は前世代と比較して14～42 %向上しています。

これらのデバイスは、上述の機能によりLLCやZVS位相シフト フルブリッジなどのソフトスイッチング トポロジーにおいて高い効率と信頼性を提供します。

また、PFC、TTF、その他のハードスイッチング トポロジーにおいても優れた性能レベルを示します。また、600 VのCoolMOS™ 8 SJ MOSFETは、R_DS(on)の最適化でさらに高い電力密度を実現し、Siベースのスーパージャンクション (SJ) 技術を使って、1桁台の7 mΩまで下げた最高クラスの製品を提供します。

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETシリーズは、産業用および民生用アプリケーションに対応した「オールインMOSFET」技術です。高速ボディダイオードを内蔵しているため、ターゲット市場におけるすべての主要トポロジーで、1つのMOSFETファミリーの製品を使用できます。これにより、インフィニオンの高耐圧ワイドバンドギャップ製品を強化する、コスト的に魅力のあるSiベースのソリューションになっています。

製品ラインアップはSMD Q-DPAK、TOLL、Thin-TOLL 8×8パッケージでで提供されることにより、設計が簡素化され、組み立てコストが削減されます。