600 V CoolMOS™ S7 / S7T

概要

低周波数スイッチングアプリケーションに向けてこの上ない価格性能比を発揮する高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリー

高電圧スーパージャンクションMOSFETのS7ファミリーは、22 mΩ R_DS(on)チップを革新的な小型TOリードレス（TOLL）SMDパッケージに実装し、さらに近い将来には10 mOhm R_DS(on)チップを上面放熱型のSMDパッケージに実装することで、電力密度の新たな基準を打ち立てます。

スイッチング損失が重要ではないアプリケーションに焦点を絞ることで、CoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、非常に低いR_DS(on)値に達する一方で、スイッチング性能に関連する機能を排除し、コストを最適化することを可能にします。これにより、CoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、インフィニオンの高い品質基準を維持する一方で、この上ない価格性能比を発揮しながら、最良のコストで低い導通損失の必要条件を満たすことができます。

インフィニオンの600 V CoolMOS™ S7スーパージャンクションMOSFETは、アクティブブリッジ整流、インバータステージ、インラッシュリレー、PLC、HV DCライン、パワーソリッドステートリレー、ソリッドステート回路遮断器など、MOSFETのスイッチングが低周波数で生じるアプリケーションを対象にしています。

PFCアクティブブリッジ整流では、設計に関してほとんど労力を払うことなく600 V CoolMOS™ S7が効率性をおよそ1%向上させることが可能となります。

ソリッドステートリレーとソリッドステート回路遮断器の設計のために、CoolMOS™ S7 MOSFETは、残りのスーパージャンクションMOSFETのCoolMOS™ファミリー、IGBT、OptiMOS™低電圧および中電圧MOSFET、ガルバニ絶縁型ゲートドライバ、およびPVI（太陽光発電アイソレータ）により補完されます。

CoolMOS™ S7T、S7派生製品

CoolMOS™ S7T製品ファミリーはCoolMOS™ S7の新しいバリエーションで、ソリッドステートサーキットブレーカーやソリッドステートリレー (SSR) などのソリッドステートソリューションに対応する製品としてリリースされました。内蔵温度センサーにより、接合部温度の検出精度が向上しています。

こうした機能の統合は、多くの電子アプリケーションの耐久性、安全性、効率にプラスの影響を与えます。アプリケーションにおいては、高精度な内蔵センサーや優れたR_DS(on)による高い性能と信頼性を意味します。

S7Tは、TOLLおよび上面放熱パッケージのQ-DPAKでのご提供となります。S7T製品一覧

製品

ハイライト

主な機能

SMDパッケージでクラス最高のR_DS(on)
最高のスーパージャンクションMOSFET R_DS(on)
導通損失を最適化
熱抵抗を改善
高パルス電流に対応
ACライン整流部でのボディダイオードの堅牢性

主なメリット

導通損失を最小化する
エネルギー効率を高める
小型でシンプルな設計
ソリッドステート設計におけるヒートシンクを削除または軽減する
低TCOコスト/BOMコスト

Key applications

SMPSのCoolMOS™ S7：チタンレベルの効率を得るための簡単な方法

これほどまでに簡単に、かつコスト効果の高い方法で効率を高める方法は今まで存在しませんでした。ダイオードと並行して、もしくはダイオードに代えてPFCブリッジ整流器でCoolMOS™ S7 SJ MOSFETを使用すれば、設計に関してほとんど労力を払うことなく効率性をおよそ1%高めることができます。これは、コストを抑え、市場に投入するまでの時間を短縮する一方で、チタンレベルの効率を得るための理想的なソリューションです。