800V and 900V CoolMOS™ C3

800 Vと900 Vの高性能CoolMOS™ C3ファミリーは画期的なスーパージャンクション（SJ）構造を用いて設計されており、使いやすさを犠牲にすることなく、高速スイッチングSJ MOSFETのあらゆる利点を実現します。

800 V CoolMOS™ C3

800 Vファミリーは単位面積オン抵抗（R_DS(on)*A）が低いため導通損失やスイッチング損失が極めて低くなっており、お客様は優れた効率性と冷却性を備えた軽量・コンパクトなスイッチングアプリケーションを実現できるようになりました。さらに、本シリーズはコストパフォーマンス（費用性能比）にも優れています。800 V CoolMOS™ C3は、たとえば太陽光インバータや産業用インバータ、3相トポロジ、PC電源、アダプタ、LCDテレビ、照明などのアプリケーションで使いやすさと高効率を実現できるように最適化されています。

900 V CoolMOS™ C3

電荷補償構造を採用したことにより、900 VのCoolMOS™ C3デバイスは、これまでの他の900 V MOSFETと比べるとオン抵抗（R_DS(on)）を劇的に、同じパッケージで比べれば4倍以上も低減させることができます。900 VのCoolMOS™C3はまた、性能指数すなわちオン抵抗にゲート電荷を乗じた値（R_DS(on)* Qg）が34 W*nCと非常に低くなっており、結果的に導通損失やドライブ損失、スイッチング損失を抑えます。900VのCoolMOS™ C3は、高効率のスイッチング電源や産業用アプリケーション、再生可能エネルギーなどのアプリケーションに最適です。