D-DPAK & Q-DPAK
CoolMOS™ SJ MOSFETとCoolSiC™ ショットキーダイオード Gen 6をDouble とQuadruple DPAK (D-DPAK/Q-DPAK) に搭載
高出力アプリケーション向けの革新的な上面放熱SMDソリューション
インフィニオンテクノロジーズは、D-DPAK パッケージを使い、PC パワー、ソーラー、サーバー、テレコムなどの高電力 SMPS アプリケーション向けに初の上面放熱実装デバイス (SMD) パッケージを発表しました。既存の高耐圧技術である600 V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET、CFD7、S7、およびCoolSiC™ショットキーダイオード650 V G6の利点を、上面放熱という革新的なコンセプトと組み合わさることで、PFCなどの大電流ハードスイッチングトポロジ向けのシステムソリューションと、LLCトポロジ向けのハイエンド効率ソリューションを提供します。最新のQ-DPAKパッケージにより、インフィニオンは上面放熱をさらに拡張します。Q-DPAKパッケージはD-DPAKの2倍の大きさで、より高出力アプリケーションでの使用が可能です。Q-DPAKパッケージは、SMPSアプリケーションに最適なだけでなく、スタティックアプリケーションや低速スイッチング アプリケーションにもメリットがあるため、CoolMOS™ S7 (産業用アプリケーション対応) およびS7Aファミリー (車載用アプリケーション対応) でも利用可能です。
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上面放熱の概要
SMD を用いた SMPS 設計は高速にスイッチングに対応し、一般的な TO-220 パッケージのようなリードの長いパッケージの寄生インダクタンスを低減するのに役立ちます。いままでSMDを用いた設計では、基板を通して熱を放散する必要があるため、出力はPCB材料の熱限界によって制限されます。D-DPAKの上面放熱コンセプトにより、基板と半導体の熱絶縁が可能になり、さらに高い電力密度、システム寿命の向上が可能になります。
熱放散が最大20%向上
D-DPAKベースのSMDソリューションにより、標準的な冷却コンセプトの基板温度レベルで最大20%高い熱放散を実現し、所定の形状でより高い電力密度が得られます。
基板温度を最大12℃低減
D-DPAK を用いた SMD ソリューションでは、標準的な放熱コンセプトの出力電力レベルにおいて、基板温度を約 12°C 低くアプリケーションを駆動でき、システム寿命の向上につながります。Q-DPAKパッケージも同様です。上面放熱により、電力密度またはシステム寿命を向上できます。
高出力アプリケーション向けの革新的な上面放熱SMDソリューション
D-DPAKは4ピンのケルビン・ソース構成で、寄生ソース・インダクタンスが非常に低くなっています。独立したピンの「ソースセンス線」は乱れのない信号をドライバーに供給するため、使いやすさが向上します。この4ピン機能とインフィニオンの最新のスーパージャンクションMOSFETおよびCoolSiC™ショットキーダイオード技術の組み合わせにより、最高の効率レベルが保証され、お客様は80 PLUS® Titanium規格を達成することができます。