IPD60R180C7
概要
CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETは、PFC/LLCトポロジーでクラス最高の性能を実現
600V CoolMOS™ C7 スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、CoolMOS™ CPに比べてターンオン損失(Eoss )を最大で50％低減し、PFC/LLCトポロジーや他のハードスイッチングトポロジーにおいて、抜群の性能を実現しています。
ハイパーデータセンターや高効率テレコム整流器(>96%)などのアプリケーションの効率および総保有コスト(TCO)は、CoolMOS™ C7から得られる利点があります。PFCトポロジーにおいては力率が0.3％～0.7%改善され、LLCトポロジーにおいては0.1%改善されます。2.5kWのサーバー電源(PSU)を例に挙げると、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFETを使用することにより、サーバー電源のエネルギーコストを最大で10％低減できます。
特長
- QG, Coss, Eoss などのスイッチング損失パラメータを低減
- クラス最高の性能指数 Q G*R DS(on)
- 高スイッチング周波数
- 世界中でもっとも優れた R (on)*A
- 堅牢なボディダイオード
利点
- 効率を低下させることなくスイッチング周波数を高速化可能
- 軽負荷および全負荷効率の主要パラメータ基準
- スイッチング周波数を2倍にすることで、磁気部品のサイズを半分にすることが可能
- 同じRDS(on)でパッケージを小型化
- ハードスイッチング/ソフトスイッチングトポロジーにおいて、より多くの位置での使用が可能
推奨アプリケーション例
ビデオ
品質
サポート
