IPDQ60R010S7

概要

画期的な上面冷却型QDPAKパッケージに搭載されたインフィニオンの600V SJ MOSFET：低周波スイッチングアプリケーションやソリッドステートソリューションに最適な、きわめて低いRDS(on) を実現

600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFETファミリーは、低伝導損失を実現するよう最適化されており、高耐圧SJ MOSFETとしては市場で最も低いR_DS(on)を実現しています。前例のないR_DS(on)×価格性能比のメリットを備えており、ソリッドステートのサーキットブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、大電力電源のアクティブブリッジ整流などに最適です。

特長

• きわめて低いR_DS(on)
• コンパクトな上面冷却QDPAKパッケージ
• 導通性能に最適化
• 熱性能の最適化
• 高いパルス電流耐性
• ケルビンソース端子により、大電流時のスイッチング性能が向上

 

利点

• 導通損失を最小化
• エネルギー効率を向上
• 小型化、設計の容易さ
• ソリッドステート設計からヒートシンクを除去または削減
• TCOコストまたはBOMコストを削減

推奨アプリケーション例

• SMPS
• SSRおよびリッドステート サーキットブレーカー
• PLC
• ソーラーエネルギーシステム
• バッテリーおよび機器の保護
• 室内商用照明制御
• UPS
• LSEV

 

 

パラメータ

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