IPZ60R040C7

概要

CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETは、PFC/LLCトポロジーでクラス最高の性能を実現

600V CoolMOS™ C7 スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、CoolMOS™ CPに比べてターンオン損失(E_oss)を最大で50％低減し、PFC/LLCトポロジーや他のハードスイッチングトポロジーにおいて、抜群の性能を実現しています。

ハイパーデータセンターや高効率テレコム整流器(>96%)などのアプリケーションの効率および総保有コスト(TCO)は、CoolMOS™ C7から得られる利点があります。PFCトポロジーにおいては力率が0.3％～0.7%改善され、LLCトポロジーにおいては0.1%改善されます。2.5kWのサーバー電源(PSU)を例に挙げると、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFETを使用することにより、サーバー電源のエネルギーコストを最大で10％低減できます。

特長

Q_G, C_oss, E_ossなどのスイッチング損失パラメータを低減
クラス最高の性能指数 Q _G*R _DS(on)
高スイッチング周波数
世界中でもっとも優れた R _(on)*A
堅牢なボディダイオード

利点

効率を低下させることなくスイッチング周波数を高速化可能
軽負荷および全負荷効率の主要パラメータ基準
スイッチング周波数を2倍にすることで、磁気部品のサイズを半分にすることが可能
同じRDS(on)でパッケージを小型化
ハードスイッチング/ソフトスイッチングトポロジーにおいて、より多くの位置での使用が可能

推奨アプリケーション例

Please also find our 2EDL EiceDRIVER™ Compact 600V half bridge gate driver IC family. With level-shift SOI (Silicon-On-Insulator) technology, monolithic integrated low-ohmic and ultrafast bootstrap diodes for either IGBTs or MOSFETs.