30V～250V Nチャンネル パワー MOSFET ベアチップ

インフィニオンの25Vから250VまでのOptiMOS™とStrongIRFET™ベアチップファミリーは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広い用途に対応します。

OptiMOS™ベアチップは、非常に低いオン抵抗 (R_DS(on))と極めて高速なスイッチングを組み合わせた製品で、さまざまな産業用アプリケーションや民生用アプリケーションで優れた性能を発揮します。StrongIRFET™ベアダイは、低いオン抵抗 (R_DS(on)) および大電流能力に最適化されており、性能と堅牢性が求められる低周波アプリケーションに最適です。

• ダイボンディングに最適：はんだ付けもしくは接着剤
• バックサイド メタライゼーション: NiAgシステム
• フロントサイド メタライゼーション: AICuシステム
• パッシベーション：ポリイミド（エッジ構造のみ）

StrongIRFET™およびOptiMOS™パワーMOSFETベアダイ製品の詳細については、インフィニオンサービスセンターまたは販売代理店、インフィニオン担当者にお問い合わせください。