OptiMOS™ 5 150V
概要
RDS(on) および逆回復電荷(Qrr)を画期的に低減
インフィニオンの新しいOptiMOS™ 5 150V パワーMOSFETは、低電圧ドライブ、たとえばフォークリフトや電動スクーターの他にも、テレコム、太陽光発電アプリケーションなどに特に適しています。この新製品は、FOM gdやFOM OSSを妥協させることなく、R DS(on)(SuperSO8の次位代替製品と比べて最大25%低減)およびQ rrを画期的に低減しています。これにより、システム効率を最適化するとともに、設計工数を効率的に削減します。さらに、きわめて低い逆回復電荷(SuperSO8の最小Q rr = 26nC)により、コミュテーションの堅牢性を向上します。
このOptiMOS™ 5 150Vテクノロジーによって、TO-220の同等品を、より小型でクラス最高性能の SuperSO8(PQFN 5x6)パッケージデバイスに置き換えることができます。この置き換えによりパッケージインダクタンスが減少するため、電力密度の向上および電圧オーバシュート(V DS)の低減を実現できます。
インフィニオンのOptiMOS™ 5 150V パワーMOSFETは、6種類のパッケージで提供しており、より低い出力電荷とより高いスイッチング周波数に加えて、きわめて低い逆回復電荷(Q rr)も実現しています。したがって、並列使用数の低減とともに、最終製品の堅牢性が向上し、さらにはシステム全体のコスト削減にもつながります。
製品
ハイライト
ビデオ
トレーニング
サポート