OptiMOS™ 5 と IR MOSFET™ 60 V-150 Vのロジックレベル

概要

新しいロジックレベルMOSFETで定電圧 (VGS) を実現

60 V～150 Vの幅広い電圧範囲で利用可能なインフィニオンのロジックレベルOptiMOS™ 5パワーMOSFET (PQFN 3.3 x 3.3mm、SuperSO8パッケージ) およびIR MOSFET™デバイス (PQFN 2 x 2) は、ワイヤレス充電、アダプター、通信アプリケーションに最適です。

本デバイスの低ゲート電荷 (Qg) は、導通損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数 (FOM) が改善されたことにより、高速スイッチング周波数での動作が可能になっています。さらに、ロジックレベル駆動により、ゲート閾値電圧 (VGS(th)) が低くなるため、MOSFETを5 Vで駆動し、マイクロコントローラーから直接駆動できます。

機能

  • 小型パッケージで低RDS(on)
  • 低ゲート電荷
  • 低出力電荷
  • ロジックレベル対応
  • 小型PQFN (2×2mm) パッケージ

  • 高電力密度設計
  • 高スイッチング周波数
  • 5V電源が使用可能であれば、部品数の削減が可能
  • マイコンから直接操作可能 (低速スイッチング)
  • システムコスト削減
  • 省スペース化が要求されるアプリケーション向けPQFN (2×2mm) 最小レイアウト

製品
ハイライト
Webinar_OptiMOS_Highlight
Button-Infineon-PowerandSensing-SG
OptiMOS™ and StronIRFET™ selection guide button

主な特長

  • 小さいパッケージで低いR DS(on)
  • より低いゲート電荷
  • より低い出力電荷
  • ロジックレベル互換
  • 小型のPQFN 2x2 パッケージ

主な利点

  • より高い電力密度の設計
  • より高いスイッチング周波数で使用可能
  • 5V電源供給の場合、部品点数削減
  • マイクロコントローラから直接駆動可能（低速スイッチング）
  • システムコスト低減
  • スペースの要求が厳しいアプリケーション向けにPQFN 2x2パッケージできわめて小さいフォームファクタを実現 
     

アプリケーション

OptiMOS™ 5 の60V、80Vおよび100Vにおける
RDS(on)の比較

IR MOSFET™ 60V、80Vおよび100Vにおける
RDS(on)の比較

トレーニング
アプリケーション
サポート