ソースダウン

インフィニオンのOptiMOS™低電圧パワーMOSFETは、ソースダウン技術により、革新的で高性能なPQFNパッケージ コンセプトを実現しています。この新しいパッケージでは、コンポーネント内でのシリコンの上下が反転しています。これにより、ドレイン電極ではなく、ソース電極がサーマルパッド越しに

OptiMOS™ パワーMOSFET 3.3 x 3.3 mm² ソースダウンパッケージは、BSC (底面冷却) およびDSC (両面冷却) で25 V～150 Vの範囲での提供になります。

この新技術は、ソースダウン版と、並列配置に特化したソースダウン センターゲート版の2種類のパッケージ展開になります。ソースダウンは、他のソリューションに比べ、低いR_DS(on)や高い放熱性などの利点があります。さらに、ソースダウン構造は、アクティブ冷却や熱管理により効果的なレイアウトを実現しています。ソースダウン構造のPQFN (3.3mm x 3.3㎜) パッケージに封止されたOptiMOS™低電圧パワーMOSFETファミリーのターゲットアプリケーションは、モータコントロールおよびドライブ、テレコム、SMPS、サーバーです。