TOLG (TO-Leaded with Gullwing) パッケージ

インフィニオンのOptiMOS™パワーMOSFET高性能パッケージファミリー：TOLG（TO-leaded with Gullwing）

TOLGパッケージは、TO-Leadless（TOLL）と同じ大電流、薄型という特徴を備えています。TOLGは、TO-Leadlessのフットプリントに互換性があるのに加え、高い熱サイクル性を実現するガルウィングリードを備えています。
TOLGは、D2PAK 7ピンに比べて、優れた電気特性を備えながら、基板面積を約60％削減しています。このパッケージは、R_DS(on)がきわめて低く、300 A以上の大電流に対応するよう最適化されています。
ガルウィングリードの柔軟性により、TOLGパッケージのOptiMOS™ファミリーのMOSFETは、Al-IMS（アルミニウム製絶縁金属基板）上で優れたはんだ接合信頼性を示しています。結果として、標準的な要求事項（IPC- 9701）に対して、TCoB (基板上の温度サイクル) が2倍優れていることになります。
TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度であり、高い性能とシステム全体の効率化を実現します。

TOLGパッケージのOptiMOS™パワーMOSFETファミリーは、60 V、80 V、100 V、200 V、250 Vなど、幅広い電圧ラインアップで提供します。ターゲット アプリケーションには、e-スクーター、(LEV) 小型電気自動車、パワーツール、バッテリー管理システム アプリケーションなどがあります。