IMW120R030M1H

TO247-3パッケージのCoolSiC™ SiC MOSFET 1200V, 30mΩは、高い性能と信頼性を実現する最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べて、SiC MOSFETはより多くの利点を提供します。こうした利点には、1200Vスイッチに見られる低いゲート電荷およびデバイス容量、内部整流保護ボディダイオードの逆回復損失がない、温度非依存のスイッチング損失、閾値非依存のオン抵抗特性などがあります。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバータ、DC/ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングのトポロジーに適しています。