IMW65R048M1H

概要

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFETがTO247 3ピンパッケージで高い信頼性とコスト効果を提供

CoolSiC™ MOSFETテクノロジーは、シリコンカーバイドの強力な物理特性を生かし、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを高める独自の特長を付加します。IMW65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650Vは、最先端のトレンチ型半導体をベースとし、アプリケーションにおける損失の最小化と動作における信頼性の最大化を追求しました。このSiC MOSFETは、TO247 3ピンパッケージに実装され、高いコスト効果を発揮します。

特長

低容量
高電流におけるスイッチング動作の最適化
整流部の堅牢な高速ボディダイオードと低い逆回復電荷（Q_rr）
ゲート酸化膜の優れた信頼性
卓越した熱挙動
アバランシェ耐量の向上
標準ドライバーに対応

利点

高性能、高信頼性、使いやすさ
高いシステム効率を実現
システムのコストと複雑性を低減
システムサイズを縮小
継続的なハードコミュテーションのあるトポロジーで機能
高温と厳しい動作環境に対応
双方向トポロジーを実現

推奨アプリケーション例

Infineon package picture CoolSIC™MOSFET 650V TO247-3

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