SiC (シリコンカーバイド) CoolSiC™ MOSFET
さまざまなパッケージとトポロジーを取り揃えたCoolSiC™ MOSFETモジュール技術
インフィニオンのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュール製品群は、インバーター設計者にこれまでにないレベルの効率と電力密度を実現する新たな機会を提供します。炭化ケイ素 (SiC) をスイッチとして使用する場合、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にすることでシステム全体の効率を向上させると同時に、高いサポート力を発揮します。さらに、SiC パワーモジュールは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて、オン抵抗52.9 mOhm から1.44 mOhmまで、様々なトポロジーで利用することが可能です。
当社のCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターなどさまざまな構成で提供しており、1200 V および2000 V のSiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失および導通損失により、ゲート酸化膜の優れた信頼性を実現しています。
すべてのEasyPACK™、EasyDUAL™、62mmパッケージのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにおいて、熱インターフェース材料 (TIM) の事前塗布や、その他追加機能をオプションとして提供しています。例えば、高性能窒化アルミニウム (AlN) セラミックを使用した当社のEasy モジュールは、RthJH 熱性能を大幅に向上させます。
新世代のCoolSiC™ M1HファミリーからEasyPAC™および62mmモジュールを近日リリース予定
インフィニオンは、ハイブリッド車や電気自動車のアプリケーション向けに、トラクション インバータ (高電圧バッテリからのDCを電気モータ用のACに変換)、オンボード バッテリ チャージャー、補助インバータ、HV/LV DC-DCコンバータ、燃料電池エアコンプレッサやDC-DC昇圧器などの特定のFCEV (燃料電池電気自動車) アプリケーションなどの幅広いCoolSiC MOSFET自動車パワーモジュールを提供します。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
このビデオでは、CoolSiC™の利点について、お客様の視点から紹介しています。Alpitronic、Tritium、Lite-On、Siemens Mobility、Froniusなどのお客様の声から、SiCが発電、蓄電、消費におけるイノベーションをいかに促進するかをご覧いただけます。
CoolSiC™ MOSFETに関するマイクロラーニング
This training will introduce you to the gate oxide reliability of CoolSiC™ MOSFETs and how Infineon's design enables the effective screening of defects by opting for a trench MOSFET.
Additionally, you will understand how this decision has allowed Infineon to achieve high reliability that surpasses that of mature silicon technology without negatively impacting key performance parameters.
Discover the benefits and challenges associated with connecting SiC power MOSFETs in parallel
このトレーニングでは、CoolSiC™がUPSアプリケーションに最適である理由を紹介します。
このトレーニングでは、Siチップと比較してインバータの設計方法を変えるSiCの特性について説明します。また、インフィニオンが開発した信頼性試験を適用することで、SiC特有の劣化メカニズムや、これらの特殊な故障モードを考慮したアプリケーションでのSiCデバイスの生存を保証する方法について説明します。これらは、より良い品質、安全性、信頼性の高いデバイス性能を長年にわたって保証するために、SiCデバイスの認定に内部的に必須となっています。
このトレーニングでは、Easyモジュール用のCoolSiC™ MOSFET 1200 V M1Hテクノロジー、およびワイドバンドギャップ材料の分野で拡大を続けるインフィニオンのEasyモジュールのラインアップに精通し、最新のM1H 1200 Vシリーズに付随する主要機能と利点についてご紹介します。
双方向コンバータにWBGスイッチを使用する理由、使用されるトポロジー、およびその機能をご紹介します。
電気自動車市場の拡大に伴い、業界ではEVチャージャーへの要件がより高まっています。
このEラーニングでは、CoolSiC™ MOSFETの登場により、EVチャージャーの小型化、高速化、高効率化を実現し、EVチャージャー業界にもたらす改善点についてご紹介します。
CoolSiC™ MOSFETの駆動は、あなたが思っているよりずっと簡単です。このトレーニングでは、0Vのターンオフゲート電圧で駆動する方法を紹介します。
CoolSiC™ MOSFETの駆動は、あなたが思っているよりずっと簡単です。このトレーニングでは、0Vのターンオフゲート電圧で駆動する方法を紹介します。
このトレーニングでは、SiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流と消費電力の要件に基づいて適切なゲート駆動ICを特定する方法、およびラボ環境でのワーストケース条件に基づいてゲート抵抗値を微調整する方法を学習します。
このビデオでは、IGBTとSiC MOSFETの電力処理能力の比較に焦点を当て、特定のアプリケーションのためにIGBTまたはMOSFETの寸法を決める際に考慮する必要があるさまざまな側面について説明します。
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ターゲットアプリケーションにおけるインフィニオンのCoolSiC™ソリューションの特徴と利点を区別し、この自動車市場の移行に対応するインフィニオンの完全にスケーラブルなCoolSiC™ポートフォリオを特定することができます。
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自動車用アプリケーションでシリコンカーバイド技術の導入が増加している理由を説明します。
インフィニオンは、3つの主要なパワー半導体技術すべてにおいて、信頼できる専門知識を提供しています。AC-DCアプリケーションでの位置づけをご確認ください！
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