FF6MR12W2M1_B11

概要

1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFET, NTC, PressFIT 圧接技術によるEasyDUAL™ 2B 1200V, 6mΩ ハーフブリッジモジュール 

特長

  • 高い電流密度
  • クラスで最も低いスイッチング損失、導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS準拠

利点

  • 高い効率性により冷却を簡素化可能
  • 高効率動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルおよび市場投入までの時間を短縮
図
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