ソリッド ステート アイソレーター
コアレス トランス アイソレーターは、様々なMOSFETまたはIGBTを使用したSSRアプリケーションに、電気的に絶縁されたゲート駆動を提供します。
ソリッド ステート アイソレーター (SSI) により、1000 V、100 Aを超える負荷を制御できるカスタム ソリッド ステート リレーを作成することができます。CTベースのアイソレーターでは絶縁バリアをまたいだエネルギー伝送が可能であるため、絶縁された出力側に電源回路を追加することなく、大型のMOSFETやIGBTを駆動できます。、革新的な保護機能により、信頼性が高く堅牢なソリッド ステート リレーを設計できるようになります。
| 主な特長 | 主な利点 |
|
|
ソリッドステート アイソレーター (SSI) ファミリーは、CoolMOS™、OptiMOS™、TRENCHSTOP™ IGBT、CoolSiC™などのMOS制御パワートランジスタのゲートを駆動するために、ガルバニック絶縁バリアをまたいで、エネルギー伝送を行います。ソリッドステート アイソレーター ファミリーの出力側は、パワートランジスタのゲートを駆動するための専用電圧供給が不要です。出力側は、高速ターンオン/オフ、過電流保護、過熱保護などの高度な制御機能を備えており、さまざまなアプリケーション向けにソリッドステートリレーを簡単かつ安全に構築できます。本ファミリーは、温度センサーを内蔵したCoolMOS™ S7 T-SenseパワーMOSFET向けに構成されたiSSI30R12Hを搭載しています。同ファミリーの他の製品は、外付けPTC抵抗と組み合わせて使用します。さらに、精密な保護機能を提供し、費用対効果の高いシステムの構築を実現します。アイソレーターの入力側は3.3 V駆動で、通常16 mAの電源電流で動作します。iSSI20R02H、iSSI20R03H、iSSI20R11HはDSO-8-66パッケージ、iSSI30R11H、iSSI30R12HはDSO-16-33パッケージです。
ディスクリートMOSFETまたはIGBTと組み合わせたソリッドステート アイソレーター (SSI) により、カスタムメイドのソリッドステート リレーが組み立てられます。このような構成のアプローチは、インフィニオンの光学式リレー (PVR) よりも高い電流と電圧に提供することができます。ソリッドステート アイソレーターは、出力側に電源を必要とすることなく、入力から出力まで完全なガルバニック絶縁を実現します。メカニカルリレー (EMR) と比較して、これらのカスタムメイドSSRは、低消費電力、長動作寿命、バウンスフリー動作、静音動作というメリットに、浮遊電磁界、通常レベルの衝撃および振動、、位置に対して考慮する必要が無く耐性、さらに接触抵抗の安定性およびスパークや電気アークの発生がないコンパクトなソリューションです。
電源スイッチと組み合わせることで、これらのソリッド ステート アイソレーターはカスタムソリッドステートリレーを作成できる汎用回路素子となります。こうしたコアレストランスベースのソリッドステートリレーは、メカニカルリレーやリードリレーから置き換え可能です。ソリッドステートリレーは、バッテリーマネージメントシステム、電源、配電、プロセス制御、プログラマブルロジックコントローラ (PLC)、自動テスト装置、産業オートメーション、ロボット工学、計装システム、サーモスタット、オーディオ装置、オン/オフフックスイッチ、一般的なスイッチング、ディスプレイやインジケータの制御など、数多くのアプリケーションで使用されています。
