High Linearity RF Transistors

このカテゴリには、多段アンプ内で(たとえばドライバとして)使用できるように、OIP3値が29dBmを超える低ノイズ広帯域アンプが含まれます。いずれも、インフィニオンによる信頼性の高い大量生産用シリコンバイポーラおよびSiGe:Cテクノロジーに基づいており、クラス最高のノイズ指数を実現しています。以下のサブカテゴリのそれぞれに、モジュール用の鉛フリーTSLP-3極小パッケージに収められた製品が存在します。

＊注意：

記載のゲイン値Gmaxは、それぞれ 900MHz(低周波数向け製品および  2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタの場合) 、 1.8GHz(2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタ、6GHzまでの高ゲインに対応したSiGe:Cトランジスタの場合)の周波数に適用されます。ノイズ指数NFminは入力でのノイズ適合によるテスト設備で測定されたものです。記載の値は低周波数に適用されます。OIP3およびOP1dB値は、50オームのシステムで測定されたものであり、適切な負荷インピーダンスを選択することで最適化できます