世界のエネルギー需要は今後数年間で急増することが予想され、同時に各国政府はより野心的な排出量目標を可決しています。再生可能なグリーンエネルギーへの転換は、排出量削減のための重要なステップですが、世界的な普及には、より効率的でパワフル、かつ信頼性の高いシステムを構築することが不可欠となります。

インフィニオンの.XT技術は、その解決策を提供します。この高度な相互接合技術は、チップからより多くの電力を引き出すために使用されます。当社独自の技術と進歩したコンポーネントにより、システムの寿命を延ばしながら、より高い電力密度と堅牢性を達成できます。

.XT技術は、再生可能エネルギーへの移行を可能にします。CoolSiC™ MOSFETディスクリートとIGBTモジュールの両方に対応する.XT相互技術によって、風力発電、太陽光発電、EV充電、産業用ドライブなどのアプリケーションを変革し、より環境に優しく、より持続可能な未来への道を切り開くものです。

性能と信頼性を向上させる拡散はんだ付け

.XT技術を使用したCoolSiC™ MOSFETのディスクリートパッケージは、インフィニオンが開発した独自の拡散はんだ付けプロセスにより、半導体の性能、信頼性、寿命を向上させ、エネルギー効率の高いシステムやクリーンエネルギーの導入を加速させます。

.XT技術では、一般的なはんだ付けプロセスで見られる制限がありません。インフィニオンは、チップからパッケージを経由してヒートシンクまで、非常に熱伝導率の高い拡散はんだ付けのプロセスを開発しました。CoolSiC™との組み合わせにより、チップのジャンクション-ケース間の熱抵抗を最大25%改善し、放熱性を最大30%向上、または、動作温度を最大15K低下させることができます。

グリーンエネルギー向けの持続可能なアプリケーションを実現

こうした特徴は、太陽光発電、電気自動車の急速充電インフラ、エネルギー貯蔵システム、モータードライブなど、同じフォームファクタで性能向上が可能なアプリケーションにおいて、重要な利点となります。このような進歩により、SiCを使用した設計最適化の可能性がさらに高まります。

モジュール製品向けの .XT技術は、改良されたワイヤーボンディング、シンタリング(焼結)によるチップ取り付けや基板下はんだの高い信頼性が特徴です。こうした相互接合の改善により、アプリケーションの負荷サイクル時に発生するワイヤーボンディングやチップのはんだ接続部の疲労など、典型的な磨耗や破損のメカニズムが解消されます。

アプリケーションの要件を満たすため、3.3 kV XHP™ 3などの高電圧モジュールでは負荷サイクルへの耐量が5倍以上に向上しています。1.2 kVや1.7 kVのPrimePACK™やXHP™ 2などの低電圧モジュールは、標準の接合技術に比べて25 K高い温度で、40倍の負荷サイクルに耐えることができます。つまり、モジュールが175℃まで、増加した負荷サイクル耐えることができるということです。

高い負荷サイクル耐量のように、.XT相互接合技術の利点は数多くあります。