와이드 밴드갭 반도체의 장점은 매우 많습니다. 예를 들어, 와이드 밴드갭 반도체에 기반한 전자장치는 높은 효율로 전력 밀도가 증가하고 크기와 무게가 줄어들어, 결과적으로 전체 시스템 비용이 낮아집니다. 또한 전력 전자장치에 와이드 밴드갭 반도체 소자를 사용하면 더 높은 동작 스위칭 주파수를 달성할 수 있습니다. 

이는 특히 전력 밀도를 극대화해야 하는 경우에 중요합니다. GaN WBG 반도체는 높은 주파수에서도 낮은 전체 게이트 전하와 약 1.5V의 낮은 전압 임계값을 가지며, 게이트 드라이브 전력이 밀리와트로 제한됩니다.

SiC는 3전자볼트(eV)의 넓은 밴드갭과 실리콘에 비해 훨씬 높은 열 전도율을 갖습니다. SiC 기반 MOSFET은 높은 주파수에서 동작하는 높은 항복 전압, 고전력 애플리케이션에 가장 적합합니다. 실리콘에 비해 R_DS(on) 같은 SiC 전력 반도체 소자 파라미터는 온도에 따른 변화가 적습니다. 따라서 설계자는 와이드 밴드갭 전력 전자장치 설계에서 더 엄격한 마진으로 설계하거나 더 높은 온도에서 작업할 수 있어 추가적인 성능 향상을 얻을 수 있습니다. 검증된 고품질 양산 체제로 생산되는 인피니언의 CoolSiC™ 솔루션은 혁신적인 기술과 최고 수준의 신뢰성을 결합하여 고객의 현재와 미래의 성공을 지원합니다.  더 알아보기

GaN은 SiC보다 밴드갭이 더 넓고(3.4eV), 전자 이동도도 더 높습니다. 실리콘(Si)에 비해 항복 전계가 10배 더 높고 전자 이동도는 2배입니다. 출력 전하와 게이트 전하가 Si보다 10배 낮고 역 회복 전하가 거의 0이며, 이는 고주파수 동작을 위한 핵심입니다. GaN 와이드 밴드갭 반도체 전력 소자는 최신 공진 토폴로지에 많이 채택되고 있으며, 새로운 토폴로지와 전류 변조 같은 새로운 접근법을 가능하게 합니다.

인피니언의 GaN 솔루션은 견고하고 뛰어난 성능을 발휘하는 e-모드(enhancement mode) 개념을 기반으로 빠른 턴온 및 턴오프 속도를 제공합니다. CoolGaN™ 갈륨나이트라이드 제품은 고성능과 견고성에 중점을 두어 서버, 통신, 무선 충전, 어댑터와 충전기, 오디오 같은 다양한 와이드 밴드갭 반도체 애플리케이션에 가치를 더합니다. CoolGaN™ 스위치와 인피니언의 단일 및 듀얼 채널, 절연 및 비절연 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC를 사용하여 쉽게 사용하고 디자인-인 할 수 있습니다. 더 알아보기 

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC는 SiC MOSFET, 특히 초고속 스위칭 CoolSiC™ SiC MOSFET 구동에 매우 적합합니다. 이들 게이트 드라이버는 엄밀한 전파 지연 매칭, 정밀한 입력 필터, 넓은 출력 측 전원 범위, 음의 게이트 전압, 액티브 밀러 클램프, DESAT 보호, 확장된 CMTI 성능 등 SiC 구동에 중요한 기능과 파라미터들을 통합했습니다.  더 알아보기

인피니언은 혁신적인 반도체 기술을 개발하고 시장에 선보이는 글로벌 리더입니다. 인피니언은 Si, SiC 및 GaN 기반 디바이스의 광범위한 제품 및 기술 포트폴리오에 매우 작고 효율적인 설계를 적용하여, 고객사의 고유한 애플리케이션 요구사항에 가장 적합한 솔루션을 제공합니다.

GaN과 SiC, Si 반도체 간에는 많은 차이가 있습니다. 첫째, GaN 반도체는 현재 80V ~ 650V 전압을 목표로 하고, 최고 스위칭 주파수에서 중간 전력을 제공합니다. GaN 및 SiC 반도체는 모두 최대 전력 밀도에서 효율이 매우 높고, Si 기반 반도체보다 스위칭 손실이 더 낮습니다.

GaN과 SiC 반도체의 차이와 관련하여, SiC 전력 반도체는 우수한 게이트 산화막 신뢰성, 뛰어난 사용 용이성을 제공하고 매우 견고하며, 횡형(lateral) 트랜지스터인 GaN과 달리 종형(vertcal) 트랜지스터 개념을 사용합니다. 

GaN 및 SiC는 애플리케이션 솔루션 영역에 서로 다른 강점을 제공합니다. 이점은 애플리케이션에 따라 달라집니다. 예를 들어 실리콘 카바이드는 고전력 스트링 인버터와 같이 고온 및 고전압 애플리케이션에서 뛰어납니다. 고온 기능의 경우 낮은 온도 계수와 높은 차단 전압 기능이 애플리케이션 요구를 가장 잘 충족시킵니다.

최고 전력 밀도에 있어서는 GaN이 우수합니다. 이는 전력 레벨이 주어진 공간에서 증가하는 데이터 센터의 SMPS와 같이 공간이 매우 제한된 애플리케이션의 경우 특히 적합합니다. 이 경우 효율과 높은 스위칭 주파수가 결합하여 다른 기술로는 도달할 수 없는 다음 단계로 애플리케이션을 끌어올립니다.